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低噪声的内置场效应管的半导体核辐射探测器

阅读:4414        发布时间:2009/12/14 15:48:33
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    江苏天瑞仪器股份有限公司

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    未传

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发明涉及半导体核辐射探测器使用的光电二极管和*级前置放大器的场效应管。现有的核辐射探测器使用的光电二极管和场效应管为两个部件,固定在同一基板上,彼此连接采用金丝点焊。由于金丝有大约10mm长,其分布电容大约在0.2pf左右。
    本发明将光电二极管和场效应管光刻在同一片硅片上,这样场效应管栅极和光电二极管之间几乎是直接相连,大大降低分布电容,其分布电容大约在0.01~0.02pf。因此该系统因分布电容产生的噪声远小于现有的核辐射探测器。

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